如果搓硅片的话，现在的水平有点太不够了，很难凭借手来操作这么精细的东西，而用别的，考虑到效率问题，也不好弄。

叶成只好问徐潜，有没有什么传递很快的东西。

徐潜思考了一番之后，说道：

“法器里面的灵力传递就很快。”

叶成做了两天实验，发现法器里面灵力传递的速度确实很快，只是不知道是什么原理，但是管他什么原理。

然后叶成又向徐潜解释了一下mos（金属-氧化物半导体）结构的原理。

大概是说，不同的电压，会决定电路会不会导通。

比如，nmos，高于阈值电压，电路会导通，低于阈值电压，电路会绝缘。

而pmos，则恰恰相反，高于阈值电压电路会绝缘，低于阈值电压，电路会导通。

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n指的是n型掺杂，简单理解就是在硅晶体中掺入磷原子。

而众所周知，硅原子的最外层电子数为4个，硅晶体呈现以下排布方式：

：硅：硅：硅：硅：

（··）(··）(··）(··）

：硅：硅：硅：硅：

（··）(··）(··）(··）

：硅：硅：硅：硅：

（示意图，··：代表电子对）

每个硅周围有八个电子，两两之间共用电子对。

而如果掺入磷原子，磷原子的最外层电子数为5，和周围共用之外，还会多出一个电子，而在电路中，这个电子会被正极所吸引形成电流，这就是所谓的n型掺杂。

硼原子的最外层电子数为3，和周围的硅原子共用电子对，少一个电子，就是所谓的p型掺杂。

因此，用p和n组合形成pmos和nmos，才会又完全相反的性质。

而将pmos和nmos的漏极连接起来，就组成了cmos。

简单地说，将cmos的源极接入电源，将cmos的栅极连接为A，漏极连接为B，就能组成一个非门。

意思就是输入端A为高压，B端则会输出低压。

而输入端A为低压，B段则会输出高压。

将高压定为1，低压定为0。

就是输入 1，输出0，输入0，输出1。

叶成将上面的东西讲给徐潜，徐潜思考了很久。

究竟什么物质，才能使得灵力的传递路线呈现这样的结构和性质？

徐潜思索半天之后，并无所获，因为在实际的运用中，炼器使用的自然是亲灵力的材质，灵力在之中非常顺畅，不可能出现这种半导体的性质。

好在两人等到了专业团队的到来，不然真不知道该怎么弄。